A.半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大 B.半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高 C.半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大 D.N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件
A.與單片相比,并聯(lián)時(shí)電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓不變 B.與單片相比,串聯(lián)時(shí)電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓增大1倍 C.與單片相比,并聯(lián)時(shí)電荷量不變、電容量減半、輸出電壓增大1倍 D.與單片相比,串聯(lián)時(shí)電荷量不變、電容量減半、輸出電壓不變
A.輸入電荷 B.反饋電容 C.電纜電容 D.放大倍數(shù)