<th id="yciy6"><menu id="yciy6"></menu></th>
<th id="yciy6"></th>
<kbd id="yciy6"></kbd>
<strike id="yciy6"></strike>
<ul id="yciy6"><tbody id="yciy6"></tbody></ul>
<samp id="yciy6"><tbody id="yciy6"></tbody></samp>
微信掃一掃關注公眾號后聯(lián)系客服
微信掃碼免費搜題
首頁
題庫
網課
在線?？?/h3>
桌面端
登錄
搜標題
搜題干
搜選項
半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2019.04.30)
問答題
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？
答案：
固相外延是指半導體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能情況。
答案：
如果假設硅中的雜質分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質，則再分布有四種可能。①分凝系數m＜l，且在SiO
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質分布有怎樣的變化？
答案：
擴散效應是指襯底中的雜質與外延層中的雜質，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質濃度的緩慢變化。擴散效應對界...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質熱擴散的溫度，然而，雜質縱向分布仍會出現高斯展寬與拖尾現象，解釋其原因。
答案：
離子注入后會對晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴散系數...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
假設進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質總劑量為Qcm-2。
答案：
（1）如果這次預淀積進行了總共t分鐘，若預淀積溫度不變，引入3Qcm
-2
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
說明SiO2的結構和性質，并簡述結晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。
答案：
結晶形SiO
2
——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構成每個頂角的O原子與兩個...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應？如何解決？
答案：
表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學能量。當晶圓片表面有高...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽w制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。
答案：
ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點為放電的著火點，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
答案：
可動離子電荷Q
m
來源：主要來源于Na+等網絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應為多少？用注入雜質分布的射程和標準偏差寫出表達式。
答案：
無定形靶內的縱向濃度分布可用高斯函數表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標準偏差，&p...
點擊查看完整答案
手機看題
微信掃一掃關注公眾號后聯(lián)系客服
微信掃碼免費搜題
